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MTS1TEMP/MTS1HIGHTEMP 熱電堆探測(cè)器

簡(jiǎn)要描述:MTS1TEMP/MTS1HIGHTEMP 熱電堆探測(cè)器:這款基于MEMS技術(shù)的高靈敏度單通道熱電堆探測(cè)器,配備了80個(gè)鉍銻合金/銻熱電偶。其較高的探測(cè)度高達(dá)12.2*10^8 cmHz^1/2/W,以及高達(dá)501 V/W的靈敏度,得益于兩個(gè)關(guān)鍵因素。該探測(cè)器具有針對(duì)光學(xué)系統(tǒng)優(yōu)化的薄膜——輻射敏感的熱電偶對(duì)齊于一個(gè)焦點(diǎn)。氪氣填充進(jìn)一步提高了熱電堆的探測(cè)度和靈敏度。

  • 產(chǎn)品品牌:Micro-Hybrid
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2024-09-26
  • 訪  問(wèn)  量:172

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詳細(xì)介紹

品牌Micro-Hybrid應(yīng)用領(lǐng)域綜合

MTS1TEMP/MTS1HIGHTEMP 熱電堆探測(cè)器 

MTS1TEMP80

MTS1TEMP/MTS1HIGHTEMP 熱電堆探測(cè)器 

MTS1HIGHTEMP80

MTS1TEMP/MTS1HIGHTEMP 熱電堆探測(cè)器 

MTS1TEMP44

描述

這款基于MEMS技術(shù)的高靈敏度單通道熱電堆探測(cè)器,配備了80個(gè)鉍銻合金/銻熱電偶。其較高的探測(cè)度高達(dá)12.2*10^8 cmHz^1/2/W,以及高達(dá)501 V/W的靈敏度,得益于兩個(gè)關(guān)鍵因素。該探測(cè)器具有針對(duì)光學(xué)系統(tǒng)優(yōu)化的薄膜——輻射敏感的熱電偶對(duì)齊于一個(gè)焦點(diǎn)。氪氣填充進(jìn)一步提高了熱電堆的探測(cè)度和靈敏度。濾波器在8至14 µm的傳輸范圍內(nèi)測(cè)量。這意味著在H2O帶寬范圍內(nèi)沒(méi)有吸收。排除了濕度的影響。這些特性使其能夠在工業(yè)中非接觸式溫度測(cè)量的苛刻應(yīng)用中使用,例如玻璃和塑料行業(yè)中熔化過(guò)程的溫度監(jiān)測(cè),或汽車(chē)行業(yè)中發(fā)動(dòng)機(jī)和剎車(chē)的溫度監(jiān)測(cè)。

該探測(cè)器可在-20至85 °C的環(huán)境溫度下使用。集成的熱敏電阻可以補(bǔ)償外部溫度影響。

應(yīng)用

l玻璃、聚合物:熔化過(guò)程的溫度監(jiān)測(cè)

l汽車(chē)和其他移動(dòng)部件:發(fā)動(dòng)機(jī)、剎車(chē)的溫度監(jiān)測(cè)

l生命科學(xué)醫(yī)療:實(shí)驗(yàn)室參數(shù)的非接觸式溫度測(cè)量

l金屬、紙張:熱指示工藝參數(shù)的監(jiān)測(cè)

l太陽(yáng)能半導(dǎo)體:維護(hù)

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

l由于使用了最佳的材料,如BiSb/Sb用于熱電效應(yīng)(MTS80),性能較好。

l最佳探測(cè)度

l高靈敏度

特點(diǎn)

l環(huán)境溫度高達(dá)180 °C

l可選焊接濾波器,適用于惡劣環(huán)境

l高靈敏度

l抗?jié)穸群推渌h(huán)境影響

技術(shù)參數(shù)

技術(shù)參數(shù)

TEMP80

HIGHTEMP80

TEMP44

單位

有效面積

? 0.5

? 0.5

1.0 x 1.0

mm2

相對(duì)孔徑

? 0.75

? 0.75

? 0.75

mm2

熱電偶數(shù)量

80

80

44

 

時(shí)間常數(shù)0-63%1,2,3

typ. 51

typ. 51

typ. 13

ms

直流輸出電壓1,2,3

typ. 3.74

typ. 3.74

typ. 1.47

mV

直流靈敏度1,2,3

typ. 501

typ. 501

typ. 39

V/W

噪聲電壓2

typ. 18

typ. 18

typ. 24

nV/Hz?

噪聲等效功率NEP1,2,3

typ. 0.04

typ. 0.04

typ. 0.62

nW/Hz?

比靈敏度D*1,2,3

typ. 12.2*108

typ. 12.2*108

typ. 1.61*108

cmHz?/W

熱電堆的電阻2

typ. 20

typ. 20

typ. 35

熱敏電阻

PTC Ni1000,其他按需提供:技術(shù)規(guī)格請(qǐng)參見(jiàn)文件“熱敏電阻"。

充填氣體3

Kr

Kr

Kr

濾光

Si, 8 -14 μm (B1)

Si, 8 -14 μm (B1)

Si, 8 -14 μm (B1)

 

工作溫度

-20 ... +85

-20 ... +180

-20 ... +85

°C

外殼

TO39

TO39

TO39

 

1. 在T=500 K,E=38 W/m2的情況下,不受濾波器特性的影響。

2. 在Tamb = 25 °C時(shí)。

3.使用氪氣填充,其他氣體根據(jù)客戶要求提供。

典型操作特性

MTS1HIGHTEMP80 with filter B1

MTS1TEMP/MTS1HIGHTEMP 熱電堆探測(cè)器 

MTS1HIGHTEMP80 with filter B1

MTS1TEMP/MTS1HIGHTEMP 熱電堆探測(cè)器 

MTS1 filter B1

MTS1TEMP/MTS1HIGHTEMP 熱電堆探測(cè)器 

電氣示意圖

MTS1TEMP/MTS1HIGHTEMP 熱電堆探測(cè)器 

電路

等效電路圖

MTS1TEMP/MTS1HIGHTEMP 熱電堆探測(cè)器 

機(jī)械制圖

底部

MTS1TEMP/MTS1HIGHTEMP 熱電堆探測(cè)器 

頂部MTS1TEMP80/44

MTS1TEMP/MTS1HIGHTEMP 熱電堆探測(cè)器 

頂部MTS1HIGHTEMP80

MTS1TEMP/MTS1HIGHTEMP 熱電堆探測(cè)器 

截面圖MTS1TEMP80/44

MTS1TEMP/MTS1HIGHTEMP 熱電堆探測(cè)器 

截面圖MTS1HIGHTEMP80

MTS1TEMP/MTS1HIGHTEMP 熱電堆探測(cè)器 

產(chǎn)品概述

型號(hào)

類型

填充氣體

低溫度

最高溫度

光圈

TS1x80B-A-D0.75-1-Kr-B1-180

TO39 with cap

Kr

-20 °C

180 °C

0.75 mm

TS1x80B-A-D0.75-1-Kr-B1

TO39 with cap

Kr

-20 °C

85 °C

0.75 mm

TS1x44S-A-D0.75-1-Kr-B1

TO39 with cap

Kr

-20 °C

85 °C

0.75 mm

 

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