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HermeSEAL JSIR 350-4紅外輻射源 紅外光源：高性能紅外輻射源，采用高性能納米非晶碳膜片。該膜片能夠?qū)崿F(xiàn)高達850°C的溫度，提供高且長期穩(wěn)定的輻射輸出。JSIR 350紅外紅外輻射源在HermeSEAL®選項中是一種高性能紅外輻射源，特別適用于醫(yī)學(xué)、工業(yè)和航空航天領(lǐng)域中要求苛刻的氣體分析應(yīng)用。

JSIR 350-4 紅外輻射源 紅外光源：高性能紅外輻射源，采用高性能納米非晶碳膜片。該膜片能夠?qū)崿F(xiàn)高達850°C的溫度，提供高且長期穩(wěn)定的輻射輸出。JSIR 350紅外紅外輻射源非常適合用于醫(yī)學(xué)、工業(yè)以及其他高要求應(yīng)用領(lǐng)域的各種氣體分析應(yīng)用。

基于C-MOSI的紅外輻射源，TO46型：JSIR340-4型經(jīng)濟實惠的紅外輻射源專為NDIR氣體分析和其他紅外測量應(yīng)用而優(yōu)化，如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法。基于CMOS的紅外輻射源的膜片可達到高達800°C的溫度。它能夠為工業(yè)應(yīng)用提供長期穩(wěn)定的輻射輸出，用于在環(huán)境溫度為-20至85°C之間控制和監(jiān)測過程氣體。

基于C-MOSI的紅外輻射源，TO39封裝：JSIR340-4型經(jīng)濟實惠的紅外輻射源專為NDIR氣體分析和其他紅外測量應(yīng)用而優(yōu)化，如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法。基于CMOS的紅外輻射源的膜片可達到高達800°C的溫度。它能夠為工業(yè)應(yīng)用提供長期穩(wěn)定的輻射輸出，用于在環(huán)境溫度為-20至85°C之間控制和監(jiān)測過程氣體及相關(guān)氣體。帶有標(biāo)準TO封裝和蓋子的包裝版本適合測量距離長達2厘米。

基于C-MOSI的紅外輻射源，SMD封裝，硅ARC窗口：適用于NDIR氣體分析和其他紅外測量應(yīng)用的經(jīng)濟型紅外輻射源。該發(fā)射器僅需250毫瓦輸入功率，也適合于移動和手持設(shè)備。這款基于CMOS的紅外輻射源的膜片能夠達到高達800°C的溫度，具有長期穩(wěn)定的輻射功率和短的時間常數(shù)。對于高容量應(yīng)用，如樓宇空調(diào)、自動化等，JSIR340因其出色的性價比而非常適合。

四通道JSIR 350-4紅外輻射源，TO8封裝，帶反射器，開放式：高性能紅外發(fā)射器，采用TO8封裝，包含4個芯片，用于測量極低濃度或吸收特性較弱的氣體。標(biāo)準TO8封裝版本帶有反射器但無窗口，也適用于從30厘米開始的長距離測量。這種基于MEMS的發(fā)射器與燈絲發(fā)射器相比，它具有顯著更長的使用壽命和更少的漂移。